HOME ＞ サファイア Sapphire
サファイア Sapphire
単結晶サファイアは、高純度のアルミナ（Al2O3ウェハー）を人工的に成長（単結晶化）させた結晶体です。
モース硬度9を持ち、石英以上の高融解点（2.053℃）と耐プラズマ特性、さらに光学的・化学的・電気的にも優れた特性を併せ持つサファイアは、LED用GaN（窒化ガリウム）成長基板を中心に、各種基板の他、大型単結晶サファイア(Max.φ370mm)を安価に量産出来る様になった事も有り、各種機構用部品にも幅広い用途が期待されております。
最近では、スマートフォンのカバーガラス等にも多用される様になっております。
キロプロス、HEM、CZ他、各種製法のインゴット及びウェハーを、お客様の用途、スペックに合わせて
素材の提案から精密加工までを行っております。
Sapphire is the crystal which let high purity Almina (Al2O3 wafer) make growth (single crystallization) artificially.
It has a hardness of 9 (Mohs hardness), has a melting point of 2,053°C, and has Plasma properties-resistant.
Furthermore , Sapphire has optically,chemically and electrically superior characteristics too.
The main use is GaN (Gallium nitride) growth substrate for LED now.
By having come to be able to mass-produce large-dia. Sapphire (Max.φ370mm) ,
a wide use is expected in a part for various mechanism.
It comes to be used many for the cover glass of the mobile phone recently.
We SINYO provides the materials of various growing methods (Kyropoulos, HEM, EFG, CZ…) stably.
 |
 |
 |
インゴット・ウェハー Ingot・Wafer
供給可能なサファイア素材
**画面より大きな表はスクロール可能です
| Kyropoulos | HEM | CZ | CHES | VHGF | TGT | EFG | Bernoulli | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Max. Dia. （mm） |
300 | 380 | 150 | 250 | 100 | 200 | 120 | 45 |
| Max. Length （mm） |
450 | 240 | 200 | 150 | 100 | 170 | 800 | 110 |
| Orientation | A,C,R,M | A,C,R,M | A,C,R,M | A,C,R,M | A,C,R,M | A,C,R,M | A | A,C,R,M ±5.0° |
| Grade | Optical ,LED, Mechanical |
Optical, LED, Mechanical |
Optical, LED, Mechanical |
Optical, LED, Mechanical |
Optical, LED, Mechanical |
Optical, LED, Mechanical |
Mechanical | Mechanical |
サファイア特性データ Sapphire characteristic data
**画面より大きな表はスクロール可能です
| Properties | Units | Value | Remarks | |
| Basic | Chemical composition | Al2O3 | ||
| Crystal structure | Corundum | |||
| Lattice constant | nm | a=0.47588, c=1.2992 | Hexagonal crystals | |
| Mechanical | density | g/cm3 | 3.98 | |
| Hardness | Mohs | 9 | ||
| Knoop | 2,200 | parallel to the C-axis | ||
| 1,900 | perpendicular to the C-axis | |||
| Modulus of Elasticity | psi×106 | 68 | Young's | |
| Flexural Strength | kpsi | ～100 | ||
| Compressive Strength | kpsi | 425 | ||
| Poisson's Ratio | － | ～0.28 | Varies with Orientation | |
| Thermal | Melting point | ℃ | 2040 | |
| Coefficient of Thermal Expansion | ×10-6/℃ | 5.4 | parallel to the C-axis | |
| 4.3 | perpendicular to the C-axis | |||
| Thermal Conductivity | W/m･K | 46 | ||
| Specific Heat | J/g･K | 0.75 | ||
| Max Working Temp | ℃ | 2000 | ||
| Optical | Index of Refraction | 1.768 | Ordinary ray,No,C-axis | |
| 1.760 | Extraordinary ray,Ne,C-axis | |||
| Birefringence | 0.008 | No-Ne | ||
| Transmission Band | Wavelength of microns | 0.3-4.0 | >80% transmission | |
| Electrical | Dielectric Strength | ac volts/mil | 1200 | |
| Dielectric Constant | average | 11.5 | Parallel to the C-axis | |
| Volume Resistivity | Ω･cm | >1014 |
エピレディーウェハー Epi Ready Wafer
GaNエピ成長用基板として2，4，6インチ各サイズのウェハーを供給いたします。
インゴットでの供給も可能です。お気軽にご相談下さい。
We can supply Φ2，4 and 6inch Epi ready wafer for GaN epitaxial's growth .
Standard Spec of Sapphire Wafer for LED
**画面より大きな表はスクロール可能です
| Φ2"Epi-Ready | Φ4"Epi-Ready | Φ6"Epi-Ready | |
|---|---|---|---|
| Diameter | 50.8±0.1mm | 100.0±0.1mm | 150.0±0.2mm |
| Thickness | 430±10μm | 650±15μm | 1300±25μm |
| Orientation | C-plane 0.2°to M-axis±0.1° | C-plane 0.2°to M-axis±0.1° | C-plane 0.2°to M-axis±0.1° |
| C-plane 0°to A-axis±0.1° | C-plane 0°to A-axis±0.1° | C-plane 0°to A-axis±0.1° | |
| Orientation flat length | 16.0±1.0mm | 30.0±1.0mm | 50.0±1.0mm |
| Primary flat location | A-axis±0.2° | A-axis±0.3° | A-axis±0.3° |
| Surface Roughness | Ra<0.2nm | Ra<0.2nm | Ra<0.2nm |
| Back side surface | 0.8-1.2μm | 0.8-1.2μm | 0.8-1.2μm |
| TTV | <10μm | <10μm | <15μm |
| BOW | <10μm | <10μm | <25μm |
精密加工品 Precision Parts
スライス、ラップ、ポリッシュからマシニング加工を行います。また、極小部品加工、超精密加工まであらゆる加工を御相談下さい。
We can accept all kinds of processing (Slicing , Lapping , Polishing , Machining and Minute Process) .
